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梦之城注册地址IGBT芯片首次批量出货,开启国产芯篇章

 近日,梦之城注册地址子公司 -梦之城注册地址亚太半导体科技有限公司(以下简称“梦之城注册地址半导体”)自主研发的IGBT芯片,完成了首次批量订单交付。这标志着使用梦之城注册地址i20技术的IGBT芯片,已经获得市场的认可,开始进入批量销售阶段。

这款梦之城注册地址自主研发的IGBT芯片,额定电压为1200V,额定电流为250A。使用目前主流的FS-Trench结构,并在设计中进行了N型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、3D结构等多项优化,带来了高达250A电流和175℃最大工作结温的卓越性能。


 


在最新测试中,以i20 IGBT芯片为核心的模块产品,自1500A(模块额定电流750A的2倍)开始,在超过2000A(接近额定电流的3倍)时仍然稳定工作,表现出了极佳的安全性、耐用性。



 此外,凭借深厚的技术和工艺经验,i20 IGBT 芯片批量产品实现了卓越的性能表现,特别是在以往进口品牌一直遥遥领先的产品一致性、稳定性上,达到国际一流水平,开启了国产IGBT芯片高水平发展的新篇章。

梦之城注册地址半导体,致力于为广大业内伙伴提供优秀的国产IGBT芯片,打破国内严重依赖进口芯片的“缺芯”困局,共建国产IGBT良性发展生态圈,助力中国IGBT产业腾飞。

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